Art

J-GLOBAL ID：201002247195065851   Reference number：10A1384948

Transferable GaN Layeres Grown on ZnO-Coated Graphene Layers for Optoelectronic Devices

光電子デバイスためにZnO被覆グラフェン層上に成長させた移動可能なGaN層

Author (4)： CHUNG Kunook (Seoul National Univ., Seoul, KOR) ,  LEE Chul-Ho (Seoul National Univ., Seoul, KOR) ,  LEE Chul-Ho (Pohang Univ. Sci. and Technol., Gyeongbuk, KOR) ,  YI Gyu-Chul (Seoul National Univ., Seoul, KOR)
Material： Science
Volume： 330  Issue： 6004  Page： 655-657  Publication year： Oct. 29, 2010 
JST Material Number： E0078A  ISSN： 0036-8075  CODEN： SCIEA  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： United States (USA)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： monolayer ,  covering ,  *zinc oxide ,  compound semiconductor ,  *gallium nitride ,  semiconductor thin film ,  *multiple quantum well ,  *light emitting diode ,  indium compound ,  *gallium compound ,  nitride ,  buffer layer ,  plasma treatment ,  *intermetallic phase ,  *electroluminescence ,  graphene
Semi thesaurus term： *indium gallium nitride

JST classification (2)： Light emitting devices  (NC03082G) ,  Luminescence of semiconductors  (BM08092S)

Terms in the title (5)： 光電子デバイス ,  ZnO ,  グラフェン ,  成長 ,  GaN