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J-GLOBAL ID：201002248887384635   Reference number：10A0292988

The Effect of Chemical Etching of Porous Silicon: Photoluminescence Spectral Changes

ポーラスシリコンの化学エッチングの効果:光ルミネセンススペクトル変化

Author (3)： OHMUKAI Masato (Akashi National Coll. of Technol.) ,  UEHARA Nobutomo (Akashi National Coll. of Technol.) ,  TSUTSUMI Yasuo (Akashi National Coll. of Technol.)
Material： 明石工業高等専門学校研究紀要(Web)  (Memoirs of National Institute of Technology, Akashi College, Japan (Web))
Issue： 52  Page： 12-15 (WEB ONLY)  Publication year： Dec. 2009 
JST Material Number： U0144A  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： Japan (JPN)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： *porous silicon ,  *etching ,  *photoluminescence ,  *spectrum ,  mixture ,  cleaning (washing) ,  strength ,  *blue shift ,  analysis (separation) ,  Gaussian spectral lineshape ,  emission ,  mechanism ,  aliphatic alcohol ,  Hydrofluoric Acid
Semi thesaurus term： *chemical etching ,  *blue shift ,  Gaussian line shape ,  mechanism

JST classification (1)： Luminescence of inorganic compounds  (BM08093J)

Substance index (1)： Ethanol

Terms in the title (3)： ポーラスシリコン ,  化学エッチング ,  光ルミネセンススペクトル