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J-GLOBAL ID：201002249794900184   Reference number：10A0402488

A 64Mb MRAM with Clamped-Reference and Adequate-Reference Schemes

クランプ参照方式および最適参照方式を持つ64Mb MRAM

Author (16)： TSUCHIDA Kenji (Toshiba, Yokohama, JPN) ,  INABA Tsuneo (Toshiba, Yokohama, JPN) ,  FUJITA Katsuyuki (Toshiba, Yokohama, JPN) ,  UEDA Yoshihiro (Toshiba, Yokohama, JPN) ,  SHIMIZU Takafumi (Toshiba, Yokohama, JPN) ,  ASAO Yoshiaki (Toshiba, Yokohama, JPN) ,  KAJIYAMA Takeshi (Toshiba, Yokohama, JPN) ,  IWAYAMA Masayoshi (Toshiba, Yokohama, JPN) ,  SUGIURA Kuniaki (Toshiba, Yokohama, JPN) ,  IKEGAWA Sumio (Toshiba, Yokohama, JPN) ,  KISHI Tatsuya (Toshiba, Yokohama, JPN) ,  KAI Tadashi (Toshiba, Yokohama, JPN) ,  AMANO Minoru (Toshiba, Yokohama, JPN) ,  SHIMOMURA Naoharu (Toshiba, Yokohama, JPN) ,  YODA Hiroaki (Toshiba, Yokohama, JPN) ,  WATANABE Yohji (Toshiba, Yokohama, JPN)
Material： Digest of Technical Papers. IEEE International Solid-State Circuits Conference  (ISSCC)
Volume： 2010  Page： 346-348  Publication year： 2010 
JST Material Number： D0753A  ISSN： 0193-6530  Document type： Proceedings
Article type： 短報  Country of issue： United States (USA)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： *magnetoresistive random access memory ,  nonvolatile memory ,  torque ,  magnetic reluctance ,  *layout ,  array ,  memory element ,  system evaluation ,  semiconductor chip ,  microfilming
Semi thesaurus term： MR比 ,  スピン伝送トルク ,  マイクログラフ ,  memory cell ,  垂直トンネル磁気抵抗

JST classification (2)： Semiconductor integrated circuit  (NC03162T) ,  CAD,CAM  (JE10000A)

Terms in the title (3)： クランプ ,  参照 ,  MRAM