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J-GLOBAL ID：201002250704471814   Reference number：10A1021695

On Degradation Studies of III-V Compound Semiconductor Optical Devices over Three Decades: Focusing on Gradual Degradation

三十年間にわたるIII-V化合物半導体光学素子の劣化研究について

Author (1)： UEDA Osamu (Kanazawa Inst. Technol., Tokyo, JPN)
Material： Japanese Journal of Applied Physics  (JJAP)
Volume： 49  Issue： 9,Issue 1  Page： 090001.1-090001.8  Publication year： Sep. 25, 2010 
JST Material Number： G0520B  ISSN： 0021-4922  CODEN： JJAPB6  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： United Kingdom (GBR)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： *compound semiconductor ,  *optical element ,  degradation (alteration) ,  *mechanism ,  gradual failure ,  test ,  reliability (property) ,  long term testing ,  long term reliability
Semi thesaurus term： degradation ,  *deterioration mechanism

JST classification (1)： Measurement,testing and reliability of solid-state devices  (NC03040G)

Reference (38)：

• I. Hayashi, M. B. Panish, P. W. Foy, and S. Sumski: Appl. Phys. Lett.17(1970)109.
• S. Guha, J. M. DePuydt, M. A. Haase, J. Qui, and H. Cheng: Appl. Phys. Lett.63(1993)3107.
• S. Nakamura, M. Senoh, S. Nagahama, N. Iwasa, T. Yamada, T. Matsushita, H. Kiyoku, and Y. Sugimoto: Jpn. J. Appl. Phys.35(1996) L74.
• O. Ueda: J. Electrochem. Soc.135(1988)11C.
• O. Ueda: Reliability and Degradation of III-V Optical Devices (Artech House, Norwood, MA, 1996).

Terms in the title (3)： III-V化合物半導体 ,  光学素子 ,  研究