Art

J-GLOBAL ID：201002251038235333   Reference number：10A0464998

走査型TEMによるNi拡散Si(001)表面層の原子配列の決定-低温NiSi₂形成の前駆構造-

Author (1)： IKARASHI NOBUYUKI (NEC デバプラ研)
Material： 応用物理学関係連合講演会講演予稿集(CD-ROM)  (Extended Abstracts of the Spring Meeting, Japan Society of Applied Physics and the Related Societies)
Volume： 57th  Page： ROMBUNNO.17A-D-8  Publication year： Mar. 03, 2010 
JST Material Number： Y0054B  Document type： Proceedings
Article type： 短報  Country of issue： Japan (JPN)  Language： JAPANESE (JA)

Thesaurus term： wafer ,  *Nickel ,  *scanning transmisson electron microscope ,  lattice match ,  electron microscopy ,  *interdiffusion ,  surface structure ,  *silicon ,  nickel compound ,  *silicide ,  Computer Simulation ,  high-angle annular dark-field scanning transmission electron microscope ,  structure ,  computer application ,  utilization

JST classification (2)： Diffusion in solids in general  (BL06021L) ,  Thin films of other inorganic compounds  (BK14060A)

Terms in the title (8)： 走査型 ,  TEM ,  Ni ,  拡散 ,  Si ,  表面層 ,  原子配列 ,  低温