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J-GLOBAL ID：201002256656854640   Reference number：10A0466770

High integrity metal/organic device interfaces via low temperature buffer layer assisted metal atom nucleation

低温バッファ層でアシストされた金属原子の核生成による金属/有機デバイスの完成度の高い界面

Author (6)： MAITANI Masato M. (Dep. of Chemistry, The Pennsylvania State Univ., Univ. Park, Pennsylvania 16802, USA) ,  ALLARA David L. (Dep. of Chemistry, The Pennsylvania State Univ., Univ. Park, Pennsylvania 16802, USA) ,  OHLBERG Douglas A. A. (Information and Quantum Systems Lab., Hewlett-Packard Laboratories, 1501 Page Mill Road, MS 1123, Palo Alto ...) ,  LI Zhiyong (Information and Quantum Systems Lab., Hewlett-Packard Laboratories, 1501 Page Mill Road, MS 1123, Palo Alto ...) ,  WILLIAMS R. Stanley (Information and Quantum Systems Lab., Hewlett-Packard Laboratories, 1501 Page Mill Road, MS 1123, Palo Alto ...) ,  STEWART Duncan R. (National Res. Council of Canada, Ottawa, Ontario K1A 0R6, CAN)
Material： Applied Physics Letters  (Appl Phys Lett)
Volume： 96  Issue： 17  Page： 173109  Publication year： Apr. 26, 2010 
JST Material Number： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  Document type： Article
Article type： 短報  Country of issue： United States (USA)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： self-organizing ,  *monomolecular layer ,  *buffer layer ,  *nucleation ,  gold ,  xenon ,  *metallic thin film ,  *thiol ,  atomic force microscope ,  *conductance

JST classification (1)： Semiconductor-metal contacts  (BM03084G)

Substance index (1)： 1-Dodecanethiol

Terms in the title (7)： 低温 ,  バッファ層 ,  アシスト ,  金属原子 ,  核生成 ,  有機デバイス ,  界面