Art

J-GLOBAL ID：201002256678867940   Reference number：10A1265240

Surface morphology of GaN layer grown by plasma-assisted molecular beam epitaxy on MOCVD-grown GaN template

MOCVD成長させたGaNテンプレート上でプラズマ補助分子ビームエピタクシーにより成長させたGaN層の表面モルホロジー

Author (6)： IDE T ,  SHIMIZU M ,  KUO J ,  JEGANATHAN K ,  SHEN XQ ,  OKUMURA H
Material： 5H INTERNATIONAL CONFERENCE ON NITRIDE SEMICONDUCTORS (ICNS-5), PROCEEDINGS
Page： 2549-2552  Publication year： 2003 
JST Material Number： I20030092  ISBN： 3-527-40489-9  Document type： Article
Country of issue： Other (ZZZ)  Language： ENGLISH (EN)

Terms in the title (7)： MOCVD ,  成長 ,  GaN ,  テンプレート ,  プラズマ ,  分子ビームエピタクシー ,  表面モルホロジー