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J-GLOBAL ID：201002257645145244   Reference number：10A0392585

Monitoring the Superfilling of Blind Holes with Electrodeposited Copper

銅電着によるブラインドホールの超充填の追跡

Author (7)： LUEHN O. (IMEC, Leuven, BEL) ,  LUEHN O. (Katholieke Universiteit Leuven, Leuven, BEL) ,  RADISIC A. (IMEC, Leuven, BEL) ,  VAN HOOF C. (IMEC, Leuven, BEL) ,  VAN HOOF C. (Katholieke Universiteit Leuven, Leuven, BEL) ,  RUYTHOOREN W. (IMEC, Leuven, BEL) ,  CELIS J.-P. (Katholieke Universiteit Leuven, Leuven, BEL)
Material： Journal of the Electrochemical Society  (J Electrochem Soc)
Volume： 157  Issue： 4  Page： D242-D247  Publication year： 2010 
JST Material Number： C0285A  ISSN： 1945-7111  CODEN： JESOAN  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： United States (USA)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： *electrodeposition ,  *copper ,  *filling ,  concave ,  hole ,  RIE ,  wafer ,  anion ,  tantalum
Semi thesaurus term： reactive ion etching ,  Si wafer ,  chloride ion

JST classification (2)： Electrode process  (CB07040U) ,  Surface chemistry in general  (CB12010J)

Terms in the title (5)： 銅 ,  電着 ,  ブラインド ,  ホール ,  追跡