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J-GLOBAL ID：201002258156439843   Reference number：10A0465253

フィールドプレート構造AlGaN/GaN HEMTにおけるラグ現象と電流コラプスの解析(2)

Author (3)： ONODERA HIRAKU (芝浦工大 システム工) ,  NAKAJIMA ATSUSHI (芝浦工大 システム工) ,  HORIO KAZUSHIGE (芝浦工大 システム工)
Material： 応用物理学関係連合講演会講演予稿集(CD-ROM)  (Extended Abstracts of the Spring Meeting, Japan Society of Applied Physics and the Related Societies)
Volume： 57th  Page： ROMBUNNO.20P-TK-4  Publication year： Mar. 03, 2010 
JST Material Number： Y0054B  Document type： Proceedings
Article type： 短報  Country of issue： Japan (JPN)  Language： JAPANESE (JA)

Thesaurus term： compound semiconductor ,  *gallium nitride ,  *HEMT ,  current-voltage characteristic ,  pressure resistance ,  delay ,  doping ,  silicon nitride ,  film thickness ,  gate dielectric film ,  *current collapse ,  *aluminum gallium nitride
Semi thesaurus term： GaN HEMT ,  ゲート絶縁体 ,  field plate ,  *AlGaN

JST classification (1)： Transistors  (NC03070N)

Terms in the title (7)： フィールド ,  AlGaN ,  GaN ,  HEMT ,  現象 ,  電流コラプス ,  解析