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J-GLOBAL ID：201002259438652490   Reference number：10A0944909

Development of Radiation Imaging Sensor with SOI Technology

SOI技術を用いた放射線イメージセンサーの開発

Author (4)： ARAI YASUO (高エネルギー加速器研究機構 素粒子原子核研) ,  MIYOSHI TOSHINOBU (高エネルギー加速器研究機構 素粒子原子核研) ,  ICHINOMIYA RYO (高エネルギー加速器研究機構 素粒子原子核研) ,  ONUKI YOSHIYUKI (東北大 大学院理学研究科)
Material： 日本物理学会誌
Volume： 65  Issue： 9  Page： 691-698,674  Publication year： Sep. 05, 2010 
JST Material Number： F0221A  ISSN： 0029-0181  CODEN： NBGSA  Document type： Article
Article type： 解説  Country of issue： Japan (JPN)  Language： JAPANESE (JA)

Thesaurus term： *image sensor ,  *SOI structure ,  *radiation detector ,  semiconductor integrated circuit ,  high-resolution ,  radiation resistance (radiation effect) ,  pixel detector
Semi thesaurus term： monolithic integrated circuit ,  high-resolution

JST classification (1)： Radiation detection and detectors  (AD08020J)

Reference (17)：

• BRUEL, M. US patent, No. 5,374,564. 1994
• SOI Pixel R&D. SOI Pixel R&D web page. http://rd.kek.jp/project/soi/
• ARAI, Y. Nucl. Instr. and Meth. A. 2010
• LILIENFIELD, J. E. U. S. patents, No. 1,745,175. 1930
• LILIENFIELD, J. E. U. S. patents, No. 1,877,140. 1932

Terms in the title (4)： SOI技術 ,  放射線 ,  イメージセンサー ,  開発