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J-GLOBAL ID：201002259827989858   Reference number：10A0485227

有機デバイスへの挑戦-アセン系化合物を用いた有機トランジスタ-

Author (1)： KUNUGI YOSHIHITO (東海大 工)
Material： Journal of the Society of Inorganic Materials, Japan  (J Soc Inorg Mater Jpn)
Volume： 17  Issue： 346  Page： 182-187  Publication year： May. 01, 2010 
JST Material Number： F0275A  ISSN： 1345-3769  CODEN： JSIJFR  Document type： Article
Article type： 解説  Country of issue： Japan (JPN)  Language： JAPANESE (JA)

Thesaurus term： *FET ,  organic semiconductor ,  polyacene ,  fullerene ,  P-type semiconductor ,  N-type semiconductor ,  displacement(replacement) ,  characteristic ,  curve ,  micro structure ,  HOMO ,  LUMO ,  weight reduction ,  flexibility ,  cost ,  MOSFET ,  vacuum deposition ,  evaporated film ,  carrier mobility ,  amorphous state ,  current-voltage characteristic ,  particle size(diameter) ,  energy level ,  lactone ,  spiro-compound ,  polynuclear aromatic compound
Semi thesaurus term： *organic transistor ,  semiconductor device characteristic ,  response curve ,  microstructure ,  low cost

JST classification (1)： Transistors  (NC03070N)

Substance index (3)： Pentacene ,  Rubrene ,  Fluoran

Reference (28)：

• KUNUGI, Y. Electrochemistry. 2008, 76, 494-498
• SIRRINGHAUS, H. Science. 2000, 290, 2123-2126
• NOGUCHI, Y. Appl. Phys. Lett. 2006, 89, 253507
• TAKIMIYA, K. Chem. Lett. 2007, 36, 578-583
• MORI, T. J. Phys. : Condens. Matter. 2008, 20, 184010

Terms in the title (3)： 有機デバイス ,  アセン ,  有機トランジスタ