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J-GLOBAL ID：201002260254360680   Reference number：10A0533488

Interface Properties of the Two Step Oxide Layers by UV Light Excited Ozone Silicon Oxidation and Chemical Vapor Deposition (CVD)-SiO₂ Film

紫外光励起オゾンによるシリコン酸化膜および化学気相成長法 (CVD)-SiO₂ 膜の二段階酸化膜の界面特性評価

Author (9)： KAMEDA NAOTO (株式会社 明電舎) ,  KAMEDA NAOTO (産業技術総合研究所) ,  NISHIGUCHI TETSUYA (株式会社 明電舎) ,  NISHIGUCHI TETSUYA (産業技術総合研究所) ,  MORIKAWA YOSHIKI (株式会社 明電舎) ,  KEKURA MITSURU (株式会社 明電舎) ,  USHIYAMA TOMOHARU (産業技術総合研究所) ,  NONAKA HIDEHIKO (産業技術総合研究所) ,  ICHIMURA SHINGO (産業技術総合研究所)
Material： Journal of the Vacuum Society of Japan  (真空)
Volume： 53  Issue： 3  Page： 230-233 (J-STAGE)  Publication year： 2010 
JST Material Number： G0194A  ISSN： 1882-2398  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： Japan (JPN)  Language： JAPANESE (JA)

Thesaurus term： *ozone ,  *ultraviolet irradiation ,  silicon oxide ,  *oxidation ,  *chemical vapor deposition ,  silane ,  oxygen ,  *silicon dioxide ,  *evaporated film ,  film thickness ,  state density ,  *surface level
Semi thesaurus term： level density

JST classification (2)： Oxide thin films  (BK14050P) ,  Electronic structure of surfaces  (BM02080J)

Reference (8)：

• KAMEDA, N. Jpn. J. Appl. Phys. 2009, 48, "05DB01-1"-"05DB01-4"
• NISHIGUCHI, T. Jpn. J. Appl. Phys. 2007, 46, 2835-2839
• KAMEDA, N. J. Electrochem. Soc. 2007, 154, 9, H769-H772
• TOSAKA, A. Jpn. J. Appl. Phys. 2005, 44, L1144-L1146
• NISHIGUCH, T. Rev. Sci. Instrum. 2002, 73, 1217-1223

Terms in the title (10)： 紫外光 ,  励起 ,  オゾン ,  シリコン酸化膜 ,  化学気相成長法 ,  CVD ,  段階 ,  酸化膜 ,  界面特性 ,  評価