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J-GLOBAL ID：201002260737091117   Reference number：10A0727765

Impact of Scaling on Neutron-Induced Soft Error in SRAMs From a 250nm to a 22nm Design Rule

250nmから22nm設計ルールを用いたSRAMの中性子誘起ソフトエラーへのスケーリングの影響

Author (5)： IBE Eishi (Hitachi, Ltd., Yokohama, JPN) ,  TANIGUCHI Hitoshi (Hitachi, Ltd., Yokohama, JPN) ,  YAHAGI Yasuo (Hitachi, Ltd., Yokohama, JPN) ,  SHIMBO Ken-ichi (Hitachi, Ltd., Yokohama, JPN) ,  TOBA Tadanobu (Hitachi, Ltd., Yokohama, JPN)
Material： IEEE Transactions on Electron Devices  (IEEE Trans Electron Devices)
Volume： 57  Issue： 7  Page： 1527-1538  Publication year： Jul. 2010 
JST Material Number： C0222A  ISSN： 0018-9383  CODEN： IETDAI  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： United States (USA)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： *scaling ,  *SRAM ,  *soft error ,  *error rate ,  spallation reaction ,  *neutron irradiation ,  Monte Carlo method ,  simulation ,  SEU ,  electric charge distribution
Semi thesaurus term： SER ,  MCU ,  電荷堆積密度

JST classification (1)： Semiconductor integrated circuit  (NC03162T)

Terms in the title (6)： 設計ルール ,  SRAM ,  中性子 ,  誘起 ,  ソフトエラー ,  スケーリング