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J-GLOBAL ID：201002260749648656   Reference number：10A0366324

Marked Enhancement in the Efficiency of Deep-Ultraviolet AlGaN Light-Emitting Diodes by Using a Multiquantum-Barrier Electron Blocking Layer

多重量子-バリア電子障壁層を用いたAlGaN深紫外線発光ダイオードの効率の著しい強化

Author (9)： HIRAYAMA Hideki (RIKEN(Inst. Physical and Chemical Res.), Saitama, JPN) ,  HIRAYAMA Hideki (JST-CREST, Saitama, JPN) ,  TSUKADA Yusuke (RIKEN(Inst. Physical and Chemical Res.), Saitama, JPN) ,  TSUKADA Yusuke (Saitama Univ., Saitama, JPN) ,  TSUKADA Yusuke (JST-CREST, Saitama, JPN) ,  MAEDA Tetsutoshi (RIKEN(Inst. Physical and Chemical Res.), Saitama, JPN) ,  MAEDA Tetsutoshi (JST-CREST, Saitama, JPN) ,  KAMATA Norihiko (Saitama Univ., Saitama, JPN) ,  KAMATA Norihiko (JST-CREST, Saitama, JPN)
Material： Applied Physics Express  (APEX)
Volume： 3  Issue： 3  Page： 031002.1-031002.3  Publication year： Mar. 25, 2010 
JST Material Number： F0599C  ISSN： 1882-0778  CODEN： APEPC4  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： United Kingdom (GBR)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： *barrier ,  gallium nitride ,  aluminum nitride ,  *light emitting diode ,  efficiency ,  *multiple quantum well ,  extreme ultraviolet ,  output

JST classification (1)： Light emitting devices  (NC03082G)

Reference (12)：

• HIRAYAMA, H. J. Appl. Phys. 2005, 97, 091101
• KINOSHITA, A. Appl. Phys. Lett. 2000, 77, 175
• HIRAYAMA, H. Appl. Phys. Lett. 2007, 91, 071901
• ZHANG, J. P. Appl. Phys. Lett. 2002, 81, 4910
• ADIVARAHAN, V. Appl. Phys. Lett. 2004, 85, 2175

Terms in the title (9)： 多重 ,  量子 ,  バリア ,  電子 ,  障壁層 ,  AlGaN ,  深紫外線 ,  発光ダイオード ,  強化