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J-GLOBAL ID：201002260915969598   Reference number：10A0594771

All deformation potentials in GaN determined by reflectance spectroscopy under uniaxial stress: Definite breakdown of the quasicubic approximation

一軸応力下での反射率分光法によって求めたGaNの全変形ポテンシャル 準立方近似のブレークダウンの確定

Author (5)： ISHII Ryota (Kyoto Univ., Kyoto, JPN) ,  KANETA Akio (Kyoto Univ., Kyoto, JPN) ,  FUNATO Mitsuru (Kyoto Univ., Kyoto, JPN) ,  KAWAKAMI Yoichi (Kyoto Univ., Kyoto, JPN) ,  YAMAGUCHI Atsushi A. (Kanazawa Inst. of Technol., Tokyo, JPN)
Material： Physical Review. B. Condensed Matter and Materials Physics  (Physical Review. B. Condensed Matter)
Volume： 81  Issue： 15  Page： 155202.1-155202.11  Publication year： Apr. 2010 
JST Material Number： D0746A  ISSN： 1098-0121  CODEN： PRBMDO  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： United States (USA)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： *deformation potential ,  *gallium nitride ,  compound semiconductor ,  *stress (mechanics) ,  single shaft ,  spectroscopy ,  reflectivity ,  reflection spectrum ,  approximation method ,  *uniaxial stress
Semi thesaurus term： 準立方近似 ,  reflectance spectrum ,  反射率分光法 ,  *一軸応力

JST classification (1)： Electronic structure of crystalline semiconductors  (BM02060N)

Terms in the title (8)： 一軸応力 ,  反射率 ,  分光法 ,  GaN ,  変形ポテンシャル ,  近似 ,  ブレークダウン ,  確定