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J-GLOBAL ID：201002261259572160   Reference number：10A1102203

Si(111)表面におけるSTM時分割光応答像とトンネル電流の時間変化

Author (2)： HIGASHIMOTO YASUNORI (室蘭工大) ,  HORIGUCHI NOBUHIRO (室蘭工大)
Material： 応用物理学会学術講演会講演予稿集(CD-ROM)  (Extended Abstracts of the Meeting. Japan Society of Applied Physics (CD-ROM))
Volume： 71st  Page： ROMBUNNO.16A-P9-9  Publication year： Aug. 30, 2010 
JST Material Number： Y0055B  Document type： Proceedings
Article type： 短報  Country of issue： Japan (JPN)  Language： JAPANESE (JA)

Thesaurus term： *silicon ,  semiconductor ,  scanning tunneling microscope ,  response ,  laser irradiation ,  electric current ,  time evolution ,  *surface reconstruction ,  *surface level
Semi thesaurus term： tunnel current ,  optical response

JST classification (2)： Surface structure of semiconductors  (BK15030A) ,  Electronic structure of impurites and defects  (BM02100I)

Terms in the title (5)： Si ,  STM ,  時分割 ,  光応答 ,  トンネル電流