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J-GLOBAL ID：201002261449516754   Reference number：10A0372023

HX-PES法,AE法,全反射率法を用いたCu₂Sにおける不定比性変化のin-situ観察

Author (8)： TSUCHIYA TAKASHI (東大 大学院) ,  MIYOSHI SHOGO (東大 大学院) ,  OYAMA YUKIKO (東大 大学院) ,  YAMASHITA YOSHIYUKI (物材研) ,  TERABE KAZUYA (物材研) ,  KOBAYASHI KEISUKE (物材研) ,  ENOKI MANABU (東大 大学院) ,  YAMAGUCHI SHU (東大 大学院)
Material： 電気化学会大会講演要旨集
Volume： 77th  Page： 297  Publication year： Mar. 26, 2010 
JST Material Number： Y0048A  Document type： Proceedings
Article type： 短報  Country of issue： Japan (JPN)  Language： JAPANESE (JA)

Thesaurus term： *copper sulfide ,  *nonstoichiometry ,  *switch ,  *switching element ,  *mixed conduction ,  *heterojunction ,  *interface (surface) ,  hard X-ray ,  X-ray photoelectron spectroscopy ,  electronic structure ,  structure analysis ,  acoustic emission ,  total reflection ,  reflectivity ,  thin film growth ,  *FET ,  voltage dependence ,  chemical shift ,  band gap ,  in situ observation ,  *nanoswitch ,  *bonded interface
Semi thesaurus term： *non-stoichiometry

JST classification (4)： Electrochemistry in general  (CB07010N) ,  Transistors  (NC03070N) ,  Semiconductor-semiconductor contacts without Gr.13-15 element compounds  (BM03083P) ,  Salts  (CD01050V)

Terms in the title (4)： HX ,  AE ,  不定比性 ,  観察