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J-GLOBAL ID：201002262527672241   Reference number：10A0350384

Enhancement-Mode GaN MIS-HEMTs With n-GaN/i-AlN/n-GaN Triple Cap Layer and High-k Gate Dielectrics

n-GaN/i-AlN/n-GaN三重キャップ層とhigh-kゲート誘電体を備えたエンハンスメントモードGaN MIS-HEMT

Author (7)： KANAMURA Masahito (Fujitsu Lab. Ltd., Atsugi, JPN) ,  OHKI Toshihiro (Fujitsu Lab. Ltd., Atsugi, JPN) ,  KIKKAWA Toshihide (Fujitsu Lab. Ltd., Atsugi, JPN) ,  IMANISHI Kenji (Fujitsu Lab. Ltd., Atsugi, JPN) ,  IMADA Tadahiro (Fujitsu Lab. Ltd., Atsugi, JPN) ,  YAMADA Atsushi (Fujitsu Lab. Ltd., Atsugi, JPN) ,  HARA Naoki (Fujitsu Lab. Ltd., Atsugi, JPN)
Material： IEEE Electron Device Letters  (IEEE Electron Device Lett)
Volume： 31  Issue： 3  Page： 189-191  Publication year： Mar. 2010 
JST Material Number： B0344B  ISSN： 0741-3106  CODEN： EDLEDZ  Document type： Article
Article type： 短報  Country of issue： United States (USA)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： *HEMT ,  cap ,  protective film ,  gate (semiconductor) ,  *device structure ,  voltage ,  current-voltage characteristic ,  MIS structure ,  threshold voltage ,  breakdown voltage
Semi thesaurus term： cap-layer ,  breakdown voltage ,  *GaN HEMT

JST classification (1)： Transistors  (NC03070N)

Terms in the title (7)： GaN ,  AlN ,  キャップ層 ,  ゲート誘電体 ,  エンハンスメントモード ,  MIS ,  HEMT