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J-GLOBAL ID：201002266117878727   Reference number：10A0955473

205-GHz (Al,In)N/GaN HEMTs

205GHz(Al,In)N/GaN HEMT

Author (8)： SUN Haifeng (ETH-Zuerich, Zuerich, CHE) ,  ALT Andreas R. (ETH-Zuerich, Zuerich, CHE) ,  BENEDICKTER Hansruedi (ETH-Zuerich, Zuerich, CHE) ,  FELTIN Eric (Ecole Polytechnique Federale de Lausanne (EPFL), Lausanne, CHE) ,  CARLIN Jean-Francois (Ecole Polytechnique Federale de Lausanne (EPFL), Lausanne, CHE) ,  GONSCHOREK Marcus (Ecole Polytechnique Federale de Lausanne (EPFL), Lausanne, CHE) ,  GRANDJEAN Nicolas R. (Ecole Polytechnique Federale de Lausanne (EPFL), Lausanne, CHE) ,  BOLOGNESI C. R. (ETH-Zuerich, Zuerich, CHE)
Material： IEEE Electron Device Letters  (IEEE Electron Device Lett)
Volume： 31  Issue： 9  Page： 957-959  Publication year： Sep. 2010 
JST Material Number： B0344B  ISSN： 0741-3106  CODEN： EDLEDZ  Document type： Article
Article type： 短報  Country of issue： United States (USA)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： *HEMT ,  aluminum compound ,  *indium compound ,  nitride ,  microwave integrated circuit ,  semiconductor material ,  cutoff frequency ,  *indium aluminium nitride ,  millimeter wave IC ,  aluminum gallium nitride
Semi thesaurus term： *GaN HEMT ,  cutoff frequency ,  millimeter wave IC ,  AlGaN

JST classification (1)： Transistors  (NC03070N)

Terms in the title (3)： Al ,  GaN ,  HEMT