Art

J-GLOBAL ID：201002266868764956   Reference number：10A0510984

Nanoscale Memristor Device as Synapse in Neuromorphic Systems

神経様システムのシナプシスとしてのナノスケールメモリスタ素子

Author (6)： JO Sung Hyun (Univ. Michigan, Michigan) ,  CHANG Ting (Univ. Michigan, Michigan) ,  EBONG Idongesit (Univ. Michigan, Michigan) ,  BHADVIYA Bhavitavya B. (Univ. Michigan, Michigan) ,  MAZUMDER Pinaki (Univ. Michigan, Michigan) ,  LU Wei (Univ. Michigan, Michigan)
Material： Nano Letters  (Nano Lett)
Volume： 10  Issue： 4  Page： 1297-1301  Publication year： Apr. 2010 
JST Material Number： W1332A  ISSN： 1530-6984  CODEN： NALEFD  Document type： Article
Article type： 短報  Country of issue： United States (USA)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： *neural network(biomodel) ,  neuron ,  semiconductor ,  *pairing ,  *variable resistor ,  *memory(computer) ,  nanostructure ,  characteristic ,  silver ,  silicon ,  codeposition ,  concentration gradient ,  active layer ,  dependence ,  conductance ,  conductive property ,  electric resistance ,  *neurophysiology ,  Neuronal Plasticity ,  complementary metal oxide semiconductor
Semi thesaurus term： analog memory ,  *synapsis ,  spike-timing-dependent synaptic plasticity ,  *memristor ,  codeposition ,  *Models, Neurological ,  voltage dependency ,  operating characteristic

JST classification (3)： Brain and nervous system models  (EL02050C) ,  Logic circuits  (NC05070B) ,  Experimental research on molecular structure and properties  (CB01020I)

Terms in the title (2)： 神経 ,  シナプシス