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J-GLOBAL ID：201002268200022861   Reference number：10A0602726

GaAs/AlGaAs Core Multishell Nanowire-Based Light-Emitting Diodes on Si

ケイ素上のGaAs/AlGaAsコアマルチシェルナノワイヤに基づく発光ダイオード

Author (6)： TOMIOKA Katsuhiro (Hokkaido Univ., Sapporo, JPN) ,  TOMIOKA Katsuhiro (JST-PRESTO, Saitama, JPN) ,  MOTOHISA Junichi (Hokkaido Univ., Sapporo, JPN) ,  HARA Shinjiroh (Hokkaido Univ., Sapporo, JPN) ,  HIRUMA Kenji (Hokkaido Univ., Sapporo, JPN) ,  FUKUI Takashi (Hokkaido Univ., Sapporo, JPN)
Material： Nano Letters  (Nano Lett)
Volume： 10  Issue： 5  Page： 1639-1644  Publication year： May. 2010 
JST Material Number： W1332A  ISSN： 1530-6984  CODEN： NALEFD  Document type： Article
Article type： 短報  Country of issue： United States (USA)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： *light emitting diode ,  *nanowire ,  *gallium arsenide ,  *aluminum gallium arsenide ,  multistory structure ,  doping ,  *heteroepitaxy ,  pretreatment ,  device structure ,  quantum well ,  crystal growth ,  MOCVD ,  scanning electron microscope ,  donor-acceptor pair ,  gold electrode ,  current-voltage characteristic ,  electroluminescence ,  *surface emitting laser ,  *array ,  two dimension ,  core-shell structure
Semi thesaurus term： metal organic vapor phase epitaxy ,  クロム電極 ,  planar laser ,  double heterostructure ,  hetero-structure

JST classification (3)： Crystal growth of semiconductors  (BK13040X) ,  Light emitting devices  (NC03082G) ,  Solid-solid interface  (CB12060M)

Terms in the title (4)： ケイ素 ,  GaAs ,  AlGaAs ,  発光ダイオード