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J-GLOBAL ID：201002270193502679   Reference number：10A0048879

Fabrication of Large Lateral Polycrystalline Silicon Film by Laser Dehydrogenation and Lateral Crystallization of Hydrogenated Nanocrystalline Silicon Films

水素化ナノ結晶珪素膜のレーザ脱水素化と横方向結晶化による大きな横型多結晶珪素膜の製造

Author (5)： SATO Tadashi (Tohoku Gakuin Univ., Miyagi, JPN) ,  YAMAMOTO Kenichi (Shimane Univ., Matsue, JPN) ,  KAMBARA Junji (Shimane Univ., Matsue, JPN) ,  KITAHARA Kuninori (Shimane Univ., Matsue, JPN) ,  HARA Akito (Tohoku Gakuin Univ., Miyagi, JPN)
Material： Japanese Journal of Applied Physics  (JJAP)
Volume： 48  Issue： 12  Page： 121201.1-121201.5  Publication year： Dec. 25, 2009 
JST Material Number： G0520B  ISSN： 0021-4922  CODEN： JJAPB6  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： United Kingdom (GBR)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： hydrogenation ,  nano crystal ,  *dehydrogenation ,  laser application ,  crystallization ,  polysilicon ,  light emitting diode ,  *thin film transistor ,  carrier mobility ,  voltage ,  semiconductor integrated circuit ,  semiconductor thin film ,  *thin film growth
Semi thesaurus term： *dehydrogenation ,  polycrystalline silicon ,  organic LED ,  モノリシック集積 ,  field effect mobility ,  threshold voltage

JST classification (1)： Transistors  (NC03070N)

Reference (20)：

• I.-C. Cheng and S. Wagner: Appl. Phys. Lett.80(2002)440.
• L. Teng and W. A. Anderson: IEEE Electron Device Lett.24(2003)399.
• C. H. Lee, A. Sazonov. and A. Nathan: Appl. Phys. Lett.86(2005)222106.
• S.-M. Han, J.-H. Park, H. S. Shin, Y.-H. Choi, and M.-K. Han: IEDM Tech. Dig., 2005, p. 117.
• M. Fonrodona, D. Soler, J. Escarré, F. Villar, J. Bertomeu, J. Andreu, A. Saboundji, N. Coulon, and T. Mohammed-Brahim: Thin Solid Films 501(2006)303.

Terms in the title (9)： 水素化 ,  ナノ結晶 ,  珪素膜 ,  レーザ ,  脱水素化 ,  横方向 ,  結晶化 ,  横型 ,  多結晶珪素膜