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J-GLOBAL ID：201002276106469332   Reference number：10A0465468

Study of the Si-incorporation in (631)A GaAs layers grown by molecular beam epitaxy

分子ビームエピタクシーで成長させた(631)A GaAs層におけるSiの取り込み

Author (7)： VAZQUEZ-CORTES D. (Ehime Univ., JPN) ,  VAZQUEZ-CORTES D. (Coordinacion para la Innovacion y Aplicacion de la Ciencia y Tecnologia, SLP, MEX) ,  CRUZ-HERNANDEZ E. (Ehime Univ., JPN) ,  CRUZ-HERNANDEZ E. (Coordinacion para la Innovacion y Aplicacion de la Ciencia y Tecnologia, SLP, MEX) ,  SHIMOMURA S. (Ehime Univ., JPN) ,  MENDEZ-GARCIA V.H. (Coordinacion para la Innovacion y Aplicacion de la Ciencia y Tecnologia, SLP, MEX) ,  LOPEZ-LOPEZ M. (CINVESTAV-IPN, MEX)
Material： 応用物理学関係連合講演会講演予稿集(CD-ROM)  (Extended Abstracts of the Spring Meeting, Japan Society of Applied Physics and the Related Societies)
Volume： 57th  Page： ROMBUNNO.18P-TW-4  Publication year： Mar. 03, 2010 
JST Material Number： Y0054B  Document type： Proceedings
Article type： 短報  Country of issue： Japan (JPN)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： *gallium arsenide ,  compound semiconductor ,  doping ,  silicon ,  MBE growth ,  *fluorescence spectrum ,  *semiconductor thin film ,  *carrier density

JST classification (1)： Semiconductor thin films  (BK14040E)

Terms in the title (5)： 分子ビームエピタクシー ,  成長 ,  GaAs ,  Si ,  取り込み