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J-GLOBAL ID：201002281852644402   Reference number：10A0134502

Nonpolar and Semipolar III-Nitride Light-Emitting Diodes: Achievements and Challenges

非極性および半極性III族窒化物発光ダイオード: 成果と課題

Author (4)： MASUI Hisashi (Univ. California, CA, USA) ,  NAKAMURA Shuji (Univ. California, CA, USA) ,  DENBAARS Steven P. (Univ. California, CA, USA) ,  MISHRA Umesh K. (Univ. California, CA, USA)
Material： IEEE Transactions on Electron Devices  (IEEE Trans Electron Devices)
Volume： 57  Issue： 1  Page： 88-100  Publication year： Jan. 2010 
JST Material Number： C0222A  ISSN： 0018-9383  CODEN： IETDAI  Document type： Article
Article type： 文献レビュー  Country of issue： United States (USA)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： *light emitting diode ,  *nitride ,  quantum confinement ,  quantum well ,  nonpolarity ,  polarized light ,  piezoelectricity ,  crystal orientation ,  band structure ,  substrate (plate) ,  epitaxy ,  review ,  *gallium indium nitride
Semi thesaurus term： *InGaN

JST classification (1)： Light emitting devices  (NC03082G)

Terms in the title (6)： 非極性 ,  半極性 ,  III族 ,  窒化物 ,  発光ダイオード ,  成果