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J-GLOBAL ID：201002282466740959   Reference number：10A1606535

Development of X-ray Pixel Detector with SOI Technology

SOI技術によるX線ピクセル検出器の開発

Author (4)： ARAI YASUO (高エネルギー加速器研究機構 素核研) ,  MIYOSHI TOSHINOBU (高エネルギー加速器研究機構 素核研) ,  ICHINOMIYA AKIRA (高エネルギー加速器研究機構 素核研) ,  ONUKI YOSHIYUKI (東北大 大学院理学研究科)
Material： 放射線  (Ionizing Radiation)
Volume： 36  Issue： 4  Page： 179-188  Publication year： Nov. 2010 
JST Material Number： S0997A  ISSN： 0285-3604  Document type： Article
Article type： 解説  Country of issue： Japan (JPN)  Language： JAPANESE (JA)

Thesaurus term： *SOI structure ,  semiconductor process ,  radiation resistance (radiation effect) ,  *pixel detector ,  *X-ray detector
Semi thesaurus term： back gate

JST classification (1)： Radiation detection and detectors  (AD08020J)

Reference (8)：

• KRAFT, P. Characterization and Calibration of PILATUS Detectors. IEEE Trans. on Nucl. Sci. 2009, 56, 758-764
• TOYOKAWA, H. Single photon counting pixel detectors for synchrotron radiation experiments. Nucl. Instr. and Meth. A. 2010
• LLOPART, X. Medipix2 : a 64-k Pixel Readout Chip With 55-um Square Elements Working in Single Photon Counting Mode. IEEE Trans. Nucl. Sci. 2002, 49, 2279-2283
• BRUEL, M. US patent No. 5,374,564, Soitec^<TM>. http://www.soitec.com/en/. 1994
• SOI Pixel R&D web page. http://rd.kek.jp/project/soi/

Terms in the title (3)： SOI技術 ,  X線ピクセル検出器 ,  開発