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J-GLOBAL ID：201002282901500671   Reference number：10A0700688

Fabrication of Large-Area Graphene Using Liquid Gallium and Its Electrical Properties

液体ガリウムとその電気特性を用いた大面積グラフェンの作製

Author (9)： FUJITA Jun-ichi (JST-PRESTO, Saitama, JPN) ,  FUJITA Jun-ichi (Univ. Tsukuba, Ibaraki, JPN) ,  MIYAZAWA Yosuke (JST-PRESTO, Saitama, JPN) ,  MIYAZAWA Yosuke (Univ. Tsukuba, Ibaraki, JPN) ,  UEKI Ryuichi (JST-PRESTO, Saitama, JPN) ,  UEKI Ryuichi (Univ. Tsukuba, Ibaraki, JPN) ,  SASAKI Mio (Univ. Tsukuba, Ibaraki, JPN) ,  SAITO Takeshi (JST-PRESTO, Saitama, JPN) ,  SAITO Takeshi (National Inst. of Advanced Industrial Sci. and Technol., Ibaraki, JPN)
Material： Japanese Journal of Applied Physics  (JJAP)
Volume： 49  Issue： 6,Issue 2  Page： 06GC01.1-06GC01.5  Publication year： Jun. 25, 2010 
JST Material Number： G0520B  ISSN： 0021-4922  CODEN： JJAPB6  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： United Kingdom (GBR)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： *Graphite ,  Gallium ,  interface (surface) ,  current-voltage characteristic ,  nanostructure ,  *semiconductor thin film ,  FET ,  electrical conductivity ,  thin film growth ,  micro structure ,  Raman spectrum ,  *graphene ,  conductivity

JST classification (1)： Materials of solid-state devices  (NC03020K)

Reference (28)：

• K. S. Novoselov, A. K. Geim, S. V. Morozov, D. Jiang, Y. Zhang, S. V. Dubonos, I. V. Grigorieva, and A. A. Firsov: Science 306(2004)666.
• J. C. Meyer, A. K. Geim, M. I. Katsnelson, K. S. Novoselov, T. J. Booth, and S. Roth: Nature 446(2007)60.
• K. S. Novoselov, D. Jiang, F. Schedin, T. J. Booth, V. V. Khotkevich, S. V. Morozov, and A. K. Geim: Proc. Natl. Acad. Sci. U. S. A.102(2005)10451.
• K. S. Novoselov, Z. Jiang, Y. Zhang, S. V. Morozov, H. L. Stormer, U. Zeitler, J. C. Maan, G. S. Boebinger, P. Kim, and A. K. Geim: Science 315(2007)1379.
• D. K. Ki, S. Jo, and H. J. Lee: Appl. Phys. Lett.94(2009)162113.

Terms in the title (5)： ガリウム ,  電気特性 ,  大面積 ,  グラフェン ,  作製