Art

J-GLOBAL ID：201002283434740643   Reference number：10A1231818

Dependence of hole concentration in p-type silicon solar cell wafers on temperature and on position within the polycrystalline ingot

多結晶インゴット内の温度と位置に対するp型シリコン太陽電池ウェハの正孔濃度の依存性

Author (5)： MATSUURA H ,  ISHIDA T ,  NISHIKAWA K ,  FUKUNAGA N ,  KURODA T
Material： POLYCRYSTALLINE SEMICONDUCTORS VII, PROCEEDINGS
Page： 141-146  Publication year： 2003 
JST Material Number： I20030812  ISSN： 1012-0394  ISBN： 3-908450-79-9  Document type： Article
Country of issue： Other (ZZZ)  Language： ENGLISH (EN)

Terms in the title (7)： 多結晶 ,  インゴット ,  p型シリコン ,  太陽電池 ,  ウェハ ,  正孔濃度 ,  依存性