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J-GLOBAL ID：201002283611191256   Reference number：10A0133908

Epitaxial Growth Processes of Graphene on Silicon Substrates

シリコン基板上のグラフェンのエピタキシャル成長過程

Author (8)： FUKIDOME Hirokazu (Tohoku Univ., Sendai, JPN) ,  MIYAMOTO Yu (Tohoku Univ., Sendai, JPN) ,  HANDA Hiroyuki (Tohoku Univ., Sendai, JPN) ,  HANDA Hiroyuki (JST-CREST, Tokyo, JPN) ,  SAITO Eiji (Tohoku Univ., Sendai, JPN) ,  SAITO Eiji (JST-CREST, Tokyo, JPN) ,  SUEMITSU Maki (Tohoku Univ., Sendai, JPN) ,  SUEMITSU Maki (JST-CREST, Tokyo, JPN)
Material： Japanese Journal of Applied Physics  (JJAP)
Volume： 49  Issue： 1,Issue 2  Page： 01AH03.1-01AH03.4  Publication year： Jan. 25, 2010 
JST Material Number： G0520B  ISSN： 0021-4922  CODEN： JJAPB6  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： United Kingdom (GBR)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： *Graphite ,  *epitaxy ,  exfoliation ,  highly oriented pyrolytic graphite ,  Raman spectrum ,  electron microscope ,  *defect ,  *parameter ,  silicon carbide ,  compound semiconductor ,  *semiconductor thin film ,  substrate (plate) ,  silicon ,  *buffer layer ,  solid phase growth ,  *graphene

JST classification (1)： Semiconductor thin films  (BK14040E)

Reference (23)：

• K. S. Novoselov, A. K. Geim, S. V. Morozov, D. Jiang, Y. Zhang, S. V. Dubonos, I. V. Grigorieva, and A. A. Firsov: Science 306(2004)666.
• A. K. Geim and K. S. Novoselov: Nat. Mater.6(2007)183.
• R. Ruoff: Nat. Nanotechnol.3(2008)10.
• J. Hass, W. A. de Heer, and E. H. Conrad: J. Phys.: Condens. Matter 20(2008)323202.
• D. Hobgood, M. Brady, W. Brixius, G. Fechko, R. Glas, D. Henshall, J. Jenny, R. Leonard, D. Malta, St. G. Müller, V. Tsvetkov, and C. H. Carter, Jr.: Mater. Sci. Forum 338-342(2000)3.

Terms in the title (4)： シリコン基板 ,  グラフェン ,  エピタキシャル成長 ,  過程