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J-GLOBAL ID：201002283637345073   Reference number：10A0727724

Tunneling Field-Effect Transistor: Capacitance Components and Modeling

トンネリング電界効果トランジスタ:キャパシタンス成分とモデリング

Author (6)： YANG Yue (National Univ. Singapore, Singapore) ,  TONG Xin (National Univ. Singapore, Singapore) ,  YANG Li-Tao (National Univ. Singapore, Singapore) ,  GUO Peng-Fei (National Univ. Singapore, Singapore) ,  FAN Lu (National Univ. Singapore, Singapore) ,  YEO Yee-Chia (National Univ. Singapore, Singapore)
Material： IEEE Electron Device Letters  (IEEE Electron Device Lett)
Volume： 31  Issue： 7  Page： 752-754  Publication year： Jul. 2010 
JST Material Number： B0344B  ISSN： 0741-3106  CODEN： EDLEDZ  Document type： Article
Article type： 短報  Country of issue： United States (USA)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： *modeling ,  voltage dependence ,  subthreshold
Semi thesaurus term： TCAD ,  *capacitance ,  compact model ,  subthreshold ,  *tunneling ,  *field effect transistor

JST classification (2)： Transistors  (NC03070N) ,  Circuit theory in general  (NA02010M)

Terms in the title (4)： トンネリング ,  電界効果トランジスタ ,  キャパシタンス ,  モデリング