Art

J-GLOBAL ID：201002283931479746   Reference number：10A1265350

Growth of high-quality GaN on FACELO substrate by raised-pressure HVPE

昇圧HVPEによるFACELO基板上における高品質GaNの成長

Author (6)： BOHYAMA S ,  YOSHIKAWA K ,  NAOI H ,  MIYAKE H ,  HIRAMATSU K ,  MAEDA T
Material： 5H INTERNATIONAL CONFERENCE ON NITRIDE SEMICONDUCTORS (ICNS-5), PROCEEDINGS
Page： 2159-2162  Publication year： 2003 
JST Material Number： I20030092  ISBN： 3-527-40489-9  Document type： Article
Country of issue： Other (ZZZ)  Language： ENGLISH (EN)

Terms in the title (5)： 昇圧 ,  HVPE ,  高品質 ,  GaN ,  成長