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J-GLOBAL ID：201002284062667096   Reference number：10A0618741

Effect of humidity on hydrogen sensitivity of Pt-gated AlGaN/GaN high electron mobility transistor based sensors

Ptゲート付きAlGaN/GaN高電子移動度トランジスタベースセンサの水素感度に及ぼす湿度の効果

Author (7)： LO C. F. (Dep. of Chemical Engineering, Univ. of Florida, Gainesville, Florida 32611, USA) ,  CHANG C. Y. (Dep. of Chemical Engineering, Univ. of Florida, Gainesville, Florida 32611, USA) ,  CHU B. H. (Dep. of Chemical Engineering, Univ. of Florida, Gainesville, Florida 32611, USA) ,  PEARTON S. J. (Dep. of Materials Sci. and Engineering, Univ. of Florida, Gainesville, Florida 32611, USA) ,  DABIRAN A. (SVT Associates, Eden Prairie, Minnesota 55344, USA) ,  CHOW P. P. (SVT Associates, Eden Prairie, Minnesota 55344, USA) ,  REN F. (Dep. of Chemical Engineering, Univ. of Florida, Gainesville, Florida 32611, USA)
Material： Applied Physics Letters  (Appl Phys Lett)
Volume： 96  Issue： 23  Page： 232106  Publication year： Jun. 07, 2010 
JST Material Number： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  Document type： Article
Article type： 短報  Country of issue： United States (USA)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： *gas sensor ,  hydrogen ,  *HEMT ,  compound semiconductor ,  aluminum compound ,  gallium compound ,  nitride ,  gallium nitride ,  heterojunction ,  gate(semiconductor) ,  *platinum ,  MBE growth ,  substrate(plate) ,  sapphire ,  dependence ,  adsorption
Semi thesaurus term： humidity dependency ,  *hydrogen sensor ,  aluminium gallium nitride

JST classification (2)： Analytical instruments  (CC02020S) ,  Transistors  (NC03070N)

Terms in the title (8)： Pt ,  ゲート ,  AlGaN ,  GaN ,  高電子移動度トランジスタ ,  水素 ,  感度 ,  湿度