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J-GLOBAL ID：201002284415045655   Reference number：10A1070865

THE ROLE OF DOPANTS IN SnO₂-BASED SEMICONDUCTOR GAS SENSING MATERIALS (3)-CRYSTAL STRUCTURE ANALYSES USING X-RAY AND NEUTRON DIFFRACTION METHODS

半導体式ガスセンサに用いられるSnO₂系センシング材料中のドーパントの役割(3)-X線回折法・中性子回折法による結晶構造解析

Author (5)： NOMURA KATSUHIRO (産業技術総合研) ,  KAGEYAMA HIROYUKI (産業技術総合研) ,  MINAGOSHI CHISE (新コスモス電機) ,  MAEKAWA TOORU (新コスモス電機) ,  KANDA KEISEN (新コスモス電機)
Material： Chemical Sensors  (化学センサ)
Volume： 26  Issue： Supplement B  Page： 112-114  Publication year： Sep. 02, 2010 
JST Material Number： L3948A  CODEN： KAGSEU  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： Japan (JPN)  Language： JAPANESE (JA)

Thesaurus term： *semiconductor ,  *gas sensor ,  *tin oxide ,  *detection ,  *dopant ,  role ,  X-Ray Diffraction ,  neutron diffraction ,  *crystal structure analysis ,  powder ,  doping ,  lattice constant ,  crystal structure ,  electron density ,  density distribution ,  tin ,  Oxygen ,  covalent bond ,  octahedron
Semi thesaurus term： sensing ,  powder

JST classification (3)： Measuring instruments in general  (AD02000X) ,  Measurement,monitoring and instrumentation of chemical process  (XC02030Y) ,  Crystal growth of oxides  (BK13050I)

Reference (6)：

• M. Batzill and U. Diebold, Progress in Surface Science, 93, 47(2005).
• T. Maekawa, C. Minagoshi and S. Nakamura, Chemical Sensors, 23 Supplement A, 97(2007).
• K. Nomura, Journal of the Crystallographic Society of Japan, 50, 155(2008).
• K. Ohoyama, T Kanouchi, K. Nemoto, M. Ohashi, T. Kajitani and Y. Yamaguchi, Japanese Journal of Applied Physics, 37, 3319(1998).
• F. Izumi and K. Momma, Solid State Phenomena, 130, 15(2007).

Terms in the title (8)： ガスセンサ ,  SnO2 ,  センシング ,  ドーパント ,  役割 ,  X線回折法 ,  中性子回折 ,  結晶構造解析