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J-GLOBAL ID：201002288567482720   Reference number：10A0387510

Modeling of High-Performance p-Type III-V Heterojunction Tunnel FETs

高性能p型III-Vヘテロ接合トンネルFETsのモデリング

Author (2)： KNOCH Joachim (TU Dortmund Univ., Dortmund, DEU) ,  APPENZELLER Joerg (Purdue Univ., IN, USA)
Material： IEEE Electron Device Letters  (IEEE Electron Device Lett)
Volume： 31  Issue： 4  Page： 305-307  Publication year： Apr. 2010 
JST Material Number： B0344B  ISSN： 0741-3106  CODEN： EDLEDZ  Document type： Article
Article type： 短報  Country of issue： United States (USA)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： *FET ,  heterojunction ,  *compound semiconductor ,  consumed electric power ,  *tunnel junction ,  band structure ,  doping ,  *indium arsenide ,  modeling ,  source ,  *subthreshold
Semi thesaurus term： InAs ,  on state

JST classification (2)： Semiconductor-semiconductor contacts with Gr.13-15 element compounds  (BM03082Y) ,  Transistors  (NC03070N)

Terms in the title (3)： 高性能 ,  ヘテロ接合 ,  モデリング