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J-GLOBAL ID：201002289202797507   Reference number：10A0713746

GaN Power Transistors on Si Substrates for Switching Applications

スイッチングアプリケーションのためのSi基板上に形成されたGaN電力トランジスタ

Author (7)： IKEDA Nariaki (Furukawa Electric Co., Ltd., Kanagawa, JPN) ,  NIIYAMA Yuki (Furukawa Electric Co., Ltd., Kanagawa, JPN) ,  KAMBAYASHI Hiroshi (Furukawa Electric Co., Ltd., Kanagawa, JPN) ,  SATO Yoshihiro (Furukawa Electric Co., Ltd., Kanagawa, JPN) ,  NOMURA Takehiko (Furukawa Electric Co., Ltd., Kanagawa, JPN) ,  KATO Sadahiro (Furukawa Electric Co., Ltd., Kanagawa, JPN) ,  YOSHIDA Seikoh (Furukawa Electric Co., Ltd., Kanagawa, JPN)
Material： Proceedings of the IEEE  (Proc IEEE)
Volume： 98  Issue： 7  Page： 1151-1161  Publication year： Jul. 2010 
JST Material Number： D0378A  ISSN： 0018-9219  CODEN： IEEPAD  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： United States (USA)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： *power transistor ,  switching transistor ,  current-voltage characteristic ,  resistance loss ,  gallium nitride ,  *HEMT ,  *MOSFET ,  device structure ,  reliability (property) ,  gradual failure

JST classification (1)： Transistors  (NC03070N)

Terms in the title (5)： スイッチング ,  アプリケーション ,  Si基板 ,  GaN ,  電力トランジスタ