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J-GLOBAL ID：201002296693332264   Reference number：10A0510496

Quantum Transport and Cyclotron Resonance Study of Ge/SiGe Quantum Wells in High Magnetic Fields

強磁場中のSi/Ge量子井戸の量子輸送とサイクロトロン共鳴による研究

Author (8)： MIURA N. (Leibniz Inst. Solid State and Materials Res., Dresden, DEU) ,  KOZLOVA N. V. (Leibniz Inst. Solid State and Materials Res., Dresden, DEU) ,  DOERR K. (Leibniz Inst. Solid State and Materials Res., Dresden, DEU) ,  FREUDENBERGER J. (Leibniz Inst. Solid State and Materials Res., Dresden, DEU) ,  SCHULTZ L. (Leibniz Inst. Solid State and Materials Res., Dresden, DEU) ,  DRACHENKO O. (Forschungszentrum Dresden Rossendorf, Dresden, DEU) ,  SAWANO K. (Tokyo City Univ., Tokyo, JPN) ,  SHIRAKI Y. (Tokyo City Univ., Tokyo, JPN)
Material： Journal of Low Temperature Physics
Volume： 159  Issue： 1-2  Page： 222-225  Publication year： Apr. 2010 
JST Material Number： E0115C  ISSN： 0022-2291  CODEN： JLTPAC  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： United States (USA)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： *cyclotron resonance ,  quantum well ,  silicon ,  *Germanium ,  strong magnetic field ,  *Shubnikov-de Haas effect ,  strain ,  *effective mass ,  *strained layer quantum well ,  silicide ,  germanium compound ,  germanium silicide

JST classification (2)： Electric conduction in crystalline semiconductors  (BM03043X) ,  Semiconductor-semiconductor contacts without Gr.13-15 element compounds  (BM03083P)

Terms in the title (7)： 強磁場 ,  Si ,  Ge ,  量子井戸 ,  量子輸送 ,  サイクロトロン共鳴 ,  研究