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J-GLOBAL ID：201003001740552255

ナノワイヤセンサ、ナノワイヤセンサアレイ、及び当該センサ及びセンサアレイを形成する方法

Inventor： アガーワル、アジェイ ,  シン、ナバブ ,  クマール、ラケシュ ,  ラオ、イエン キン ,  バラスブラマニアン、ナラヤナン
Applicant, Patent owner： エージェンシー フォー サイエンス,テクノロジー アンド リサーチ
Agent (4)： 恩田 博宣 ,  恩田 誠 ,  本田 淳 ,  池上 美穂
Gazette classification：公表公報
Application number (International application number)：2009523747
Publication number (International publication number)：2010500559
Application date： Aug. 11, 2006
Publication date： Jan. 07, 2010
Summary：

支持基板の上にナノワイヤを含むセンサであって、第1半導体層が該支持基板上に配置されたセンサ、を形成する方法が開示されている。該方法は、第1半導体層からなり、かつ少なくとも2つの支持部と、該支持部の間に配置されるフィン部と、を含むフィン構造を形成する工程と;フィン構造の少なくともフィン部を酸化することにより第1酸化膜層によって取り囲まれるナノワイヤを形成する工程と;絶縁層を該支持部の上に形成する工程と、を含み、支持部及び第1絶縁層はマイクロ流体チャネルを構成する。ナノワイヤセンサも開示されている。ナノワイヤセンサは、支持基板と;支持基板の上に配置され、かつ少なくとも2つの半導体支持部と、該支持部の間に配置されるフィン部と、を含む半導体フィン構造と;支持部のコンタクト表面の上の第1絶縁層と、を備え、支持部及び第1絶縁層はマイクロ流体チャネルを構成する。

Claim (excerpt)：

支持基板の上にナノワイヤを含むセンサであって、第1半導体層が前記支持基板上に配置されたセンサ、を形成する方法であって: 前記第1半導体層からなるフィン構造であって、少なくとも2つの支持部と前記支持部の間に配置されるフィン部とを含むフィン構造、を形成する工程と; 前記フィン構造の少なくともフィン部を酸化することにより、第1酸化膜層によって取り囲まれるナノワイヤを形成する工程と; 第1絶縁層を前記支持部の上に形成する工程と、を含み、 前記支持部及び前記第1絶縁層はマイクロ流体チャネルを構成する、 方法。

IPC (6)：

G01N 27/00 ,  H01L 29/06 ,  B82B 3/00 ,  B82B 1/00 ,  H01L 21/329 ,  H01L 29/786

FI (7)：

G01N27/00 Z ,  H01L29/06 601N ,  B82B3/00 ,  B82B1/00 ,  H01L29/91 A ,  H01L29/78 625 ,  H01L29/78 618C

F-Term (47)：

2G060AA06 ,  2G060AC10 ,  2G060AF02 ,  2G060AF08 ,  2G060DA02 ,  2G060EB01 ,  5F110AA16 ,  5F110BB09 ,  5F110CC07 ,  5F110CC10 ,  5F110DD03 ,  5F110DD04 ,  5F110DD05 ,  5F110DD12 ,  5F110DD13 ,  5F110DD14 ,  5F110DD24 ,  5F110FF02 ,  5F110GG01 ,  5F110GG02 ,  5F110GG03 ,  5F110GG04 ,  5F110GG12 ,  5F110GG13 ,  5F110GG22 ,  5F110GG23 ,  5F110GG30 ,  5F110GG32 ,  5F110GG58 ,  5F110HL01 ,  5F110HL02 ,  5F110HL03 ,  5F110HL04 ,  5F110HL06 ,  5F110HL08 ,  5F110HL11 ,  5F110HL22 ,  5F110HM02 ,  5F110HM04 ,  5F110NN03 ,  5F110NN22 ,  5F110NN23 ,  5F110NN24 ,  5F110NN27 ,  5F110NN40 ,  5F110QQ17 ,  5F110QQ19