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J-GLOBAL ID：201003001886686962

ハイブリッド金属半導体ナノ粒子、光誘導荷電分離方法およびその応用

Inventor：
バニン,ウリ

About バニン,ウリ

, 
コスティ,ロニー

About コスティ,ロニー


Applicant, Patent owner：
イッサム リサーチ ディベロップメント カンパニー オブ ザ ヘブライ ユニバーシティー オブ エルサレム,リミテッド

About イッサム リサーチ ディベロップメント カンパニー オブ ザ ヘブライ ユニバーシティー オブ エルサレム,リミテッド


Agent (4)： 柏原 三枝子 ,  高橋 剛一 ,  柴田 雅仁 ,  米村 道子
Gazette classification：公表公報
Application number (International application number)：2009549890
Publication number (International publication number)：2010519057
Application date： Feb. 20, 2008
Publication date： Jun. 03, 2010
Summary：
本発明は、酸化還元反応および水分解など、多様な化学反応の光触媒に関するハイブリッド金属半導体ナノ粒子の開発および使用を開示する。【選択図】図1
Claim (excerpt)：
光誘導電荷分離および電荷キャリの電荷アクセプタへの移動方法において: a)可視(400-700nm)から近赤外(NIR)領域(0.7-3μm)において吸収開始がある、少なくとも1つの金属/金属合金量と、少なくとも1の半導体領域とを有する少なくとも1のナノ粒子を提供するステップと; b)前記媒体において、前記少なくとも1のナノ粒子を少なくとも1の電子アクセプタおよび少なくとも1の電子ドナーに接触させるステップと; c)選択的に、前記少なくとも1のナノ粒子、少なくとも1の電子アクセプタおよび少なくとも1の電子ドナーを含む媒体に、可視および/または近IR領域および選択的にUV領域の放射を用いて照射するステップと;を具え、 これにより、前記少なくとも1のナノ粒子の金属/半導体境界面において電子-正孔対の形成し、それに続く電荷分離と、電子および正孔の前記少なくとも1の電子アクセプタおよび前記少なくとも電子ドナーそれぞれへの移動とが可能となることを特徴とする方法。
IPC (4)：
B82B 1/00 ,  B01J 35/02 ,  B82B 3/00 ,  C01B 3/04
FI (5)：
B82B1/00 ,  B01J35/02 J ,  B82B3/00 ,  B01J35/02 H ,  C01B3/04 A
F-Term (44)：
4G169AA02 ,  4G169BA48A ,  4G169BB02A ,  4G169BB11A ,  4G169BB13A ,  4G169BC16A ,  4G169BC17A ,  4G169BC18A ,  4G169BC21A ,  4G169BC26A ,  4G169BC27A ,  4G169BC30A ,  4G169BC34A ,  4G169BC50A ,  4G169BC57A ,  4G169BC62A ,  4G169BC65A ,  4G169BC70A ,  4G169BC71A ,  4G169BC72A ,  4G169BC74A ,  4G169BC75A ,  4G169BD05A ,  4G169BD06A ,  4G169BD07A ,  4G169BD08A ,  4G169BD09A ,  4G169CA07 ,  4G169CA08 ,  4G169CA10 ,  4G169CB02 ,  4G169CB07 ,  4G169CB35 ,  4G169CB81 ,  4G169DA08 ,  4G169EA02X ,  4G169EA03X ,  4G169EB19 ,  4G169HA01 ,  4G169HA02 ,  4G169HC21 ,  4G169HC28 ,  4G169HE09 ,  4G169HF03
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (3)
Article cited by the Patent：
Cited by examiner (7)
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