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J-GLOBAL ID：201003003347106467

放射線検出装置

Inventor： 松浦 秀治
Applicant, Patent owner： 学校法人 大阪電気通信大学
Agent (2)： 河野 登夫 ,  河野 英仁
Gazette classification：再公表公報
Application number (International application number)：JP2007065728
Publication number (International publication number)：WO2009022378
Application date： Aug. 10, 2007
Publication date： Feb. 19, 2009
Summary：

放射線検出装置を提供する。 半導体基板1は、SiCの結晶である。半導体基板1の一方の面には、所要の面積を有しX線の入射面としての金属膜2を形成してある。半導体基板1の他方の面の中央部には、円形状の電極3を形成し、電極3を囲むように半導体基板1の外周付近に環状の電極4を形成してある。金属膜2及び環状の電極4には、所定の直流電圧Vd(例えば、-100V〜-1000V程度)を印加する。電極3は、接地レベルの電圧を印加してある。金属膜2に入射したX線(γ線)により半導体基板1内で電子・正孔の対が生成される。生成された電子は電極3に集められ出力端子から電気信号として取り出される。

Claim (excerpt)：

入射した放射線により生成される電荷に基づいて放射線を検出する放射線検出装置において、 高純度かつ半絶縁性を有する半導体基板と、 該半導体基板の一面に放射線を入射させるための入射面と、 該半導体基板の他面に電荷を取り出す電極と を備えることを特徴とする放射線検出装置。

IPC (2)：

H01L 31/09 ,  G01T 1/24

FI (2)：

H01L31/00 A ,  G01T1/24

F-Term (16)：

2G088FF02 ,  2G088GG21 ,  2G088JJ05 ,  2G088JJ09 ,  2G088JJ31 ,  5F088AA11 ,  5F088AB02 ,  5F088AB07 ,  5F088AB09 ,  5F088AB17 ,  5F088BA04 ,  5F088BA15 ,  5F088BB06 ,  5F088FA05 ,  5F088FA09 ,  5F088LA07

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (1)

• 放射線検出器
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-270646   Applicant：株式会社島津製作所