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J-GLOBAL ID：201003004519152179

ポリマの指向性自己組織化を利用するサブリソグラフィ構造の形成方法

Inventor： ジョイ・チェン ,  ダニエル・ポール・サンダース ,  チャールズ・トーマス・レットナー ,  ヤンヘェ・ナ ,  ダ・ヤン ,  カファイ・レイ ,  ワイキン・リー
Applicant, Patent owner： インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレーション
Agent (3)： 上野 剛史 ,  太佐 種一 ,  市位 嘉宏
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2010102303
Publication number (International publication number)：2010269304
Application date： Apr. 27, 2010
Publication date： Dec. 02, 2010
Summary：

【課題】 ポリマの指向性自己組織化を利用するサブリソグラフィ構造の形成方法を提供する。【解決手段】 ブロック・コポリマの自己組織化を含む方法であって、目標とするCD(限界寸法)を有する開口部(1つ又は複数の基板内の)から開始して、ホールを規則的な配列又は任意の配列に形成する方法を説明する。重要なことに、形成されたホールの平均直径の百分率ばらつきは、最初の開口部の平均直径の百分率ばらつきより小さくなる。形成されたホール(又はビア)を下層の基板に転写することができ、次にこれらのホールを金属導体のような材料で埋め戻すことができる。本発明の好ましい態様は、22nm以下の技術ノードにおいても、より狭いピッチ及びより優れたCDの均一性を有するビアの作成を可能にする。【選択図】 図1

Claim (excerpt)：

目標とする限界寸法(CD)が200nm未満の個別の開口部を有する基板であって、前記開口部は標準偏差σopenings及び平均CDopeningsによって特徴付けられるCDの統計的ばらつきを有し、3σopeningsは前記平均CDopeningsの少なくとも10%である、前記基板を準備することと、 ブロック・コポリマを含むポリマ層であって、前記コポリマの成分は互いに混合しない、前記ポリマ層を前記基板の上に塗布することと、 前記ポリマに前記開口部の各々の内部で、周囲の自己組織化ドメインの内部に自己組織化中心ドメインを形成させることと、 前記中心ドメインを選択的に除去して各々の中心ドメインがあった場所にホールを形成することと を含み、 前記ホールは標準偏差σholes及び平均CDholesによって特徴付けられるCDの統計的ばらつきを有し、 σholes/平均CDholesは、σopenings/平均CDopeningsの0.8倍より小さい、 方法。

IPC (4)：

B05D 7/00 ,  H01L 21/027 ,  B82B 3/00 ,  H01L 21/768

FI (4)：

B05D7/00 Z ,  H01L21/30 564Z ,  B82B3/00 ,  H01L21/90 C

F-Term (21)：

4D075AC41 ,  4D075CB03 ,  4D075DA07 ,  4D075DC21 ,  4D075EA45 ,  4D075EB47 ,  5F033GG01 ,  5F033GG02 ,  5F033GG03 ,  5F033KK01 ,  5F033KK04 ,  5F033KK11 ,  5F033KK32 ,  5F033QQ01 ,  5F033QQ02 ,  5F033QQ26 ,  5F033QQ37 ,  5F033WW01 ,  5F033XX03 ,  5F046AA28 ,  5F046JA27

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

• 重合体組成物及びナノオーダーパターン形成方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2003-200723   Applicant：JSR株式会社
• パターン形成方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2006-221555   Applicant：株式会社東芝