有機電界効果トランジスター及びその製造方法

Inventor： , , ,
Applicant, Patent owner： ,
Agent (4)：小島隆司 , 重松沙織 , 小林克成 , 石川武史
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2008223369
Publication number (International publication number)：2010062183
Application date： Sep. 01, 2008
Publication date： Mar. 18, 2010
Summary：

【解決手段】導電体層/絶縁体層/半導体層構造を有する有機電界効果トランジスターにおいて、式(1)及び/又は(2)のモノマーを重合又は共重合して得られる高分子物質と式(1)及び(2)以外の重合性及び/又は架橋性を示す有機化合物とを混合して形成された絶縁体層と、有機化合物からなる半導体層を含んでなる有機電界効果トランジスター。 CH2=CHCOO-(CH2)2-CN (1) CH2=C(CH3)COO-(CH2)2-CN (2)【効果】本発明によれば、導電体層/絶縁体層/半導体層構造を有するTFTにおいて、半導体層及び絶縁体層材料の両者を有機化合物とし、絶縁体層を形成する物質として大きな比誘電率を有し、かつ水酸基を有さない高分子物質とこれとは別の重合性及び/又は架橋性を示す有機化合物とを混合した系で絶縁体層を形成することにより、通常アモルファスシリコン並の低電圧で動作するOFETを得ることができる。【選択図】なし

Claim (excerpt)：

導電体層/絶縁体層/半導体層構造を有する有機電界効果トランジスターにおいて、下記式(1)で示されるモノマー及び/又は下記式(2)で示されるモノマーを重合又は共重合して得られる高分子物質と下記式(1)及び(2)以外の重合性及び/又は架橋性を示す有機化合物とを混合して形成された絶縁体層と、有機化合物からなる半導体層を含んでなることを特徴とする有機電界効果トランジスター。 CH2=CHCOO-(CH2)2-CN --- (1) CH2=C(CH3)COO-(CH2)2-CN --- (2)

IPC (3)：

H01L 29/786 , H01L 51/05 , H01L 51/30

FI (4)：

H01L29/78 617T , H01L29/78 618B , H01L29/28 100A , H01L29/28 280

F-Term (35)：

5F110AA16 , 5F110AA26 , 5F110BB01 , 5F110BB20 , 5F110CC07 , 5F110DD01 , 5F110DD02 , 5F110EE01 , 5F110EE02 , 5F110EE03 , 5F110EE04 , 5F110EE07 , 5F110EE14 , 5F110EE42 , 5F110EE43 , 5F110EE44 , 5F110EE45 , 5F110FF01 , 5F110FF05 , 5F110FF06 , 5F110FF09 , 5F110FF22 , 5F110FF27 , 5F110GG05 , 5F110GG06 , 5F110GG07 , 5F110GG25 , 5F110GG28 , 5F110GG29 , 5F110GG42 , 5F110HK01 , 5F110HK02 , 5F110HK32 , 5F110HK33 , 5F110QQ06

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (1)

特表平5-508745号公報

Cited by examiner (4)

特開平3-116981
有機絶縁膜組成物およびこれを用いた有機絶縁膜のパターン形成方法および有機薄膜トランジスタおよびこれを含む表示素子
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2005-179808 Applicant：三星電子株式会社
薄層化学トランジスター及びその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2005-177422 Applicant：国立大学法人大阪大学, 信越化学工業株式会社

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