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J-GLOBAL ID：201003009371354291

半導体素子、半導体装置、半導体素子の製造方法、および半導体装置の製造方法

Inventor： 青山 哲也 ,  リビエル ジーンチャールズ モーリス ,  和田 達夫 ,  藤原 隆
Applicant, Patent owner： 独立行政法人理化学研究所 ,  株式会社スープラディスプレイ
Agent (1)： 特許業務法人原謙三国際特許事務所
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2009061795
Publication number (International publication number)：2010219155
Application date： Mar. 13, 2009
Publication date： Sep. 30, 2010
Summary：

【課題】特定の領域において有機半導体の電荷タイプを変換する方法を提供する。【解決手段】本発明に係る有機半導体素子の製造方法は、半導体層がキノイド構造を有するオリゴチオフェン化合物によって形成されている有機化合物層である半導体素子の製造方法であって、有機化合物層に対して、加熱処理、光照射処理および溶媒処理の少なくとも何れかの処理を施すことにより、有機化合物層のn型の特性、p型の特性または両極性型の特性を、n型の特性、p型の特性および両極性型の特性のうちの別の特性に変化させる工程を含む。【選択図】なし

Claim (excerpt)：

半導体層が下記一般式(1)で表される化合物によって形成されている有機化合物層である半導体素子の製造方法であって、 上記有機化合物層に対して、加熱処理、光照射処理および溶媒処理の少なくとも何れかの処理を施すことにより、上記有機化合物層のn型の特性、p型の特性または両極性型の特性を、n型の特性、p型の特性および両極性型の特性のうちの別の特性に変化させる工程を含むことを特徴とする半導体素子の製造方法。

IPC (8)：

H01L 51/40 ,  H01L 51/05 ,  H01L 51/30 ,  H01L 29/786 ,  H01L 21/336 ,  H01L 29/861 ,  H01L 21/823 ,  H01L 27/088

FI (7)：

H01L29/28 310L ,  H01L29/28 100A ,  H01L29/28 250H ,  H01L29/78 618B ,  H01L29/78 618A ,  H01L29/91 G ,  H01L27/08 102A

F-Term (32)：

5F048AB03 ,  5F048AC01 ,  5F048BA14 ,  5F048BA16 ,  5F048BB09 ,  5F048BC15 ,  5F110AA04 ,  5F110AA30 ,  5F110BB04 ,  5F110CC07 ,  5F110DD01 ,  5F110DD05 ,  5F110DD13 ,  5F110EE03 ,  5F110EE08 ,  5F110EE43 ,  5F110FF01 ,  5F110FF02 ,  5F110FF09 ,  5F110FF23 ,  5F110FF27 ,  5F110GG05 ,  5F110GG06 ,  5F110GG28 ,  5F110GG29 ,  5F110GG42 ,  5F110GG57 ,  5F110GG58 ,  5F110HK02 ,  5F110HK03 ,  5F110HK04 ,  5F110HK32