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J-GLOBAL ID：201003010816162914

ヘテロ結晶半導体デバイス及びその製造方法

Inventor： 小林 伸彦 ,  ワン,シー-ユアン
Applicant, Patent owner： ヒューレット-パッカード デベロップメント カンパニー エル.ピー.
Agent (3)： 古谷 聡 ,  溝部 孝彦 ,  西山 清春
Gazette classification：公表公報
Application number (International application number)：2009551736
Publication number (International publication number)：2010520618
Application date： Feb. 28, 2008
Publication date： Jun. 10, 2010
Summary：

非単結晶半導体層110、140と、この非単結晶半導体層110、140の晶子112と一体の単結晶半導体ナノ構造物122、124を含むナノ構造層120とを有するヘテロ結晶半導体デバイス100、及びこのヘテロ結晶半導体デバイス100を製造する方法200。

Claim (excerpt)：

第1のエネルギーバンドギャップを有する第1の非単結晶半導体材料の第1の層(110)、 第2のエネルギーバンドギャップを有する第2の非単結晶半導体材料の第2の層(140)、 第3のエネルギーバンドギャップを有する単結晶半導体材料のナノ構造物(122、124)を有するナノ構造層(120)であって、当該前記ナノ構造物(122、124)が、前記第1の層(110)及び前記第2の層(140)のいずれかの層内の晶子(112)と一体になっており、前記第1の層(110)と前記第2の層(140)との間に配置されているナノ構造層(120)、並びに 前記第1の層(110)及び前記第2の層(140)への別々の電気接点(160a、160b)を備えており、 前記ナノ構造物(122、124)が、前記別々の電気接点(160a、160b)により電気的にアクセス可能となっている、ヘテロ結晶半導体デバイス(100)。

IPC (3)：

H01L 29/06 ,  H01L 29/861 ,  B82B 1/00

FI (3)：

H01L29/06 601N ,  H01L29/91 H ,  B82B1/00