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J-GLOBAL ID：201003020144129358

電界効果トランジスタの不動態化のための方法

Inventor： リヒャルト フィックス ,  オリヴァー ヴォルスト ,  シュテファン へネック ,  アレクサンダー マルティン ,  マルティン レ-フー
Applicant, Patent owner： ローベルト ボツシユ ゲゼルシヤフト ミツト ベシユレンクテル ハフツング
Agent (8)： 矢野 敏雄 ,  山崎 利臣 ,  久野 琢也 ,  杉本 博司 ,  高橋 佳大 ,  星 公弘 ,  二宮 浩康 ,  アインゼル・フェリックス=ラインハルト
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2009261718
Publication number (International publication number)：2010122217
Application date： Nov. 17, 2009
Publication date： Jun. 03, 2010
Summary：

【課題】少なくとも1つのソース電極と、ドレイン電極と、ゲート電極とを有する電界効果トランジスタの不動態化において、従来技術の問題点を解決する。【解決手段】少なくとも1つの化学的感受性の電極を有する半導体構成素子の不動態化のために、少なくとも、該化学的感受性の電極を、ガラス層もしくはガラスセラミック層の施与によって覆い隠す。【選択図】図1

Claim (excerpt)：

少なくとも1つの化学的感受性の電極(17)を有する半導体構成素子(1)の不動態化のための方法において、少なくとも化学的感受性の電極(17)を、ガラス層もしくはガラスセラミック層(15)の施与によって覆い隠すことを特徴とする不動態化方法。

IPC (4)：

G01N 27/00 ,  H01L 29/78 ,  G01N 27/414 ,  G01N 27/12

FI (4)：

G01N27/00 J ,  H01L29/78 301U ,  G01N27/30 301U ,  G01N27/12 B

F-Term (24)：

2G046BA01 ,  2G046BB02 ,  2G046BJ02 ,  2G046EA02 ,  2G046EA18 ,  2G060AA01 ,  2G060AA05 ,  2G060AF06 ,  2G060DA22 ,  5F140AC37 ,  5F140BA00 ,  5F140BA02 ,  5F140BA04 ,  5F140BA06 ,  5F140BD04 ,  5F140BD07 ,  5F140BD11 ,  5F140BJ03 ,  5F140BJ05 ,  5F140BJ07 ,  5F140BJ08 ,  5F140CC02 ,  5F140CC16 ,  5F140CC19