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J-GLOBAL ID：201003020166963017

グラファイト薄膜の製造方法および製造装置

Inventor：
前田 文彦

About 前田 文彦

, 
日比野 浩樹

About 日比野 浩樹


Applicant, Patent owner：
日本電信電話株式会社

About 日本電信電話株式会社


Agent (3)： 山川 政樹 ,  黒川 弘朗 ,  山川 茂樹
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2009120636
Publication number (International publication number)：2010269944
Application date： May. 19, 2009
Publication date： Dec. 02, 2010
Summary：
【課題】自由度の高い成長条件で、大規模集積化のための微細加工に適した大きさで、かつ単一結晶領域が実用的な大きさであり、欠陥が少ない高品質で、層数を原子層単位で精密に制御したグラフェンの層が形成できるようにする。【解決手段】真空チャンバ102の内部に基板101を配置し、排気部103を動作させ、真空チャンバ102の内部を分子流領域の圧力に減圧する。次に、ガス送出部104を動作させ、原料ガス供給部106より供給される例えばエタノールガスを基板101の上に送出させる。加えて、真空チャンバ102の内部に配置された分解部105を動作させ、分解部105を構成するタングステンフィラメントが2000°C程度に加熱する状態とし、上述したように送出されるエタノールガスを通過させることで分解し、これが基板101の上に送出される状態とする。【選択図】 図1
Claim (excerpt)：
処理室の内部に基板を配置して前記処理室内を分子流領域の圧力に減圧する第1工程と、 炭化水素のガスを前記処理室の内部で電圧の印加により加熱したフィラメントからなる分解手段を通過させることで分解して前記基板の上に送出し、前記基板の表面にグラフェンの層を形成する第2工程と を少なくとも備えることを特徴とするグラファイト薄膜の製造方法。
IPC (1)：
C01B 31/04
FI (1)：
C01B31/04 101Z
F-Term (14)：
4G146AA02 ,  4G146AB07 ,  4G146BA11 ,  4G146BA12 ,  4G146BA48 ,  4G146BC09 ,  4G146BC27 ,  4G146BC29 ,  4G146BC34A ,  4G146BC34B ,  4G146DA04 ,  4G146DA32 ,  4G146DA40 ,  4G146DA48
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (4)
  • 特開平1-167211
  • 特開昭61-247611
  • 特開平1-138111
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Cited by examiner (4)
  • 特開平1-167211
  • 特開昭61-247611
  • 特開平1-138111
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Article cited by the Patent：
Cited by applicant (2) Cited by examiner (2)

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