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J-GLOBAL ID:201003020496695728
導電性薄膜基板及びその製造方法
Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (5):
大谷 保
, 東平 正道
, 塚脇 正博
, 片岡 誠
, 平澤 賢一
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2009132459
Publication number (International publication number):2010277974
Application date: Jun. 01, 2009
Publication date: Dec. 09, 2010
Summary:
【課題】導電性パターンを形成する金属膜の膜厚を薄くしつつ、導電性及び基材と導電性パターンとの密着性に優れ、かつ容易に製造することができる導電性薄膜基板及びその製造方法を提供すること。【解決手段】基材上に、金属又は金属酸化物微粒子が焼結した二次焼結粒子が融着してなる融着薄膜を有し、該融着薄膜の厚さが20〜120nmである導電性薄膜基板である。【選択図】なし
Claim (excerpt):
基材上に、金属又は金属酸化物微粒子が焼結した二次焼結粒子が融着してなる融着薄膜を有し、該融着薄膜の厚さが20〜120nmである導電性薄膜基板。
IPC (2):
FI (4):
H01B5/14 Z
, H01B13/00 503Z
, H01B5/14 B
, H01B13/00 503D
F-Term (5):
5G307GA06
, 5G307GB02
, 5G307GC02
, 5G323CA03
, 5G323CA05
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