Pat

J-GLOBAL ID：201003023320618556

電界効果トランジスタ及びその製造方法

Inventor： 小野 新平 ,  樋口 貞雄 ,  三輪 一元
Applicant, Patent owner： 財団法人電力中央研究所
Agent (2)： 栗原 浩之 ,  村中 克年
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2009092445
Publication number (International publication number)：2010245298
Application date： Apr. 06, 2009
Publication date： Oct. 28, 2010
Summary：

【課題】有機半導体層及び圧電材料を主成分とするゲート絶縁層を備え、ゲート絶縁層に印加する圧力により電流増幅率等の特性を制御することができる電界効果トランジスタ及びその製造方法を提供する。【解決手段】電界効果トランジスタは、ゲート絶縁層1にその面方向(水平方向)に作用する圧力を印加することによりゲート絶縁層1と有機半導体層2との界面に電荷を注入することができるので、これによってドレイン電極3及びソース電極4間の電流が制御される。すなわち、トランジスタ作用による高感度の増幅を行うことができる。しかも、このときゲート絶縁層1に印加される圧力に応じて、ゲート絶縁層1と有機半導体層2との界面に注入される電荷の量が変化するため、ゲート絶縁層1に印加される圧力に応じてドレイン電極3及びソース電極4間の電流が変化する。したがって圧力センサーとしても好適なものとなる。【選択図】図1

Claim (excerpt)：

有機半導体層及びゲート絶縁層を備えた電界効果トランジスタにおいて、 前記ゲート絶縁層が圧電材料を主要成分として含むものであることを特徴とする電界効果トランジスタ。

IPC (5)：

H01L 51/05 ,  H01L 41/08 ,  H01L 41/22 ,  H01L 41/18 ,  H01L 41/187

FI (6)：

H01L29/28 100A ,  H01L41/08 Z ,  H01L41/22 Z ,  H01L41/18 101A ,  H01L41/18 101B ,  H01L41/18 101D