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J-GLOBAL ID：201003023503564714

タンデム型薄膜太陽電池の製造方法

Inventor： 白井 寛 ,  宮本 真
Applicant, Patent owner： 日立マクセル株式会社
Agent (1)： 古部 次郎
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2009015579
Publication number (International publication number)：2010177266
Application date： Jan. 27, 2009
Publication date： Aug. 12, 2010
Summary：

【課題】下部セルのpn接合が破壊されることなくタンデム型薄膜太陽電池の製造方法を提供する。【解決手段】基板10上に積層された複数の光電変換ユニットを備えたタンデム型薄膜太陽電池100の製造方法であって、光電変換ユニットの第1電極層を形成する第1電極層成膜工程と、成膜された第1電極層上に複数の半導体前駆体層を成膜する前駆体層成膜工程と、成膜された半導体前駆体層上に第2電極層を成膜する第2電極層成膜工程と、第1電極層と第2電極層との間に半導体前駆体層とが成膜された光電変換ユニットの複数個を積層した後に、光電変換ユニットの半導体前駆体層を加熱し、半導体の結晶を生成させる前駆体層拡散工程と、を有することを特徴とする。【選択図】図2

Claim (excerpt)：

基板上に積層された複数の光電変換ユニットを備えたタンデム型薄膜太陽電池の製造方法であって、 光電変換ユニットの第1電極層を形成する第1電極層成膜工程と、 成膜された前記第1電極層上に複数の半導体前駆体層を成膜する前駆体層成膜工程と、 成膜された前記半導体前駆体層上に第2電極層を成膜する第2電極層成膜工程と、 前記第1電極層と前記第2電極層との間に前記半導体前駆体層とが成膜された前記光電変換ユニットの複数個を積層した後に、当該光電変換ユニットの前記半導体前駆体層を加熱し、半導体の結晶を生成させる前駆体層拡散工程と、 を有することを特徴とするタンデム型薄膜太陽電池の製造方法。

IPC (1)：

H01L 31/04

FI (1)：

H01L31/04 E

F-Term (24)：

5F051AA10 ,  5F051CB15 ,  5F051CB25 ,  5F051DA03 ,  5F051DA15 ,  5F051DA20 ,  5F051FA03 ,  5F051FA04 ,  5F051FA06 ,  5F051GA02 ,  5F051GA03 ,  5F051GA05 ,  5F151AA10 ,  5F151CB15 ,  5F151CB25 ,  5F151DA03 ,  5F151DA15 ,  5F151DA20 ,  5F151FA03 ,  5F151FA04 ,  5F151FA06 ,  5F151GA02 ,  5F151GA03 ,  5F151GA05