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J-GLOBAL ID：201003023790016587

光電変換素子

Inventor： 亀崎 久光 ,  鳥居 昌史 ,  日比野 栄子 ,  原田 成之 ,  堀内 保 ,  ▲高▼田 美樹子 ,  林 嘉隆
Applicant, Patent owner： 株式会社リコー
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2009006495
Publication number (International publication number)：2010165545
Application date： Jan. 15, 2009
Publication date： Jul. 29, 2010
Summary：

【課題】近赤外領域に感度を有し、太陽光の利用効率が高い半導体電極及びこれを用いた光電変換素子を提供する。【解決手段】透明導電性基板11側から透明導電性基板11を透過して入射した光は、半導体微粒子層12の表面に担持された光増感色素を励起して電子を発生する。電子は速やかに光増感色素から半導体微粒子層12の半導体微粒子に渡される。電子を失った光増感色素は、電解質層15のイオンから電子を受け取り、電子を渡した分子は、再び対極の白金膜14で電子を受け取る。一連の過程により、半導体微粒子層12と電気的に接続された透明導電性電極11と白金膜14との間に起電力が発生する。光増感色素として、中心金属をCu、Zn、Ruから選択される1つの金属原子とし、少なくとも1個のカルボキシ基を有する特定のテトラアザポルフィリン錯体を使用して、テトラアザポルフィリン錯体のカルボキシ基を介して無機半導体に結合させる。【選択図】図2

Claim (excerpt)：

無機半導体と光増感色素を有する半導体電極において、 前記光増感色素が下記一般式(1)で表される化合物であることを特徴とする半導体電極。

IPC (2)：

H01M 14/00 ,  H01L 31/04

FI (2)：

H01M14/00 P ,  H01L31/04 Z

F-Term (9)：

5F051AA14 ,  5F151AA14 ,  5H032AA06 ,  5H032AS06 ,  5H032AS16 ,  5H032AS19 ,  5H032CC16 ,  5H032EE16 ,  5H032EE20