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J-GLOBAL ID：201003024619033429

金属堆積のために基板表面を設計するためのプロセスおよび統合システム

Inventor： ドルディ・イエッディ ,  レデカー・フリッツ・シー. ,  ボイド・ジョン ,  ティエ・ウィリアム ,  アルナジリ・ティルチラーパリ ,  ホーバルト・アーサー・エム. ,  ユーン・ヒュングスック・アレキサンダー ,  ベルトメン・ジョハン
Applicant, Patent owner： ラム リサーチ コーポレーション
Agent (1)： 特許業務法人明成国際特許事務所
Gazette classification：公表公報
Application number (International application number)：2009526621
Publication number (International publication number)：2010503205
Application date： Aug. 17, 2007
Publication date： Jan. 28, 2010
Summary：

【課題】金属堆積のために基板表面を設計するためのプロセスおよび統合システム【解決手段】実施形態は、銅配線について、エレクトロマイグレーション耐性を向上させるため、より低い金属抵抗率を提供するため、そして金属-金属またはシリコン-金属の界面接着を改善するために、金属-金属界面またはシリコン-金属界面を形成するプロセスおよび統合システムを提供する。統合システム内において、銅表面上にコバルト合金材料の薄い層を選択的に堆積させて、銅配線のエレクトロマイグレーション耐性を向上させるために、基板表面を調整する代表的方法が提供される。方法は、統合システム内において、基板表面から汚染物および金属酸化物を除去することと、汚染物および金属酸化物を除去した後に、統合システム内において、還元環境を使用して基板表面を再調整することとを含む。方法は、また、基板表面を再調整した後に、統合システム内において、銅配線の銅表面上にコバルト合金材料の薄い層を選択的に堆積させることも含む。また、上述された代表的方法を実施するためのシステムも、提供される。【選択図】図8A

Claim (excerpt)：

統合システム内において、基板の銅配線の銅表面上にコバルト合金材料の薄い層を選択的に堆積させて、前記銅配線のエレクトロマイグレーション耐性を向上させるために、前記基板の基板表面を調整する方法であって、 前記統合システム内において、前記基板表面から汚染物および金属酸化物を除去することと、 汚染物および金属酸化物を除去した後に、前記統合システム内において、還元環境を使用して前記基板表面を再調整することと、 前記基板表面を再調整した後に、前記統合システム内において、前記銅配線の前記銅表面上に前記コバルト合金材料の薄い層を選択的に堆積させることと、 を備える方法。

IPC (5)：

H01L 21/320 ,  H01L 23/52 ,  C23C 14/14 ,  H01L 21/28 ,  H01L 21/288

FI (7)：

H01L21/88 R ,  C23C14/14 ,  H01L21/88 M ,  H01L21/28 A ,  H01L21/288 E ,  H01L21/28 301S ,  H01L21/88 Q

F-Term (86)：

4K029AA06 ,  4K029AA24 ,  4K029BA06 ,  4K029BA12 ,  4K029BA17 ,  4K029BD02 ,  4K029CA00 ,  4K029GA00 ,  4M104AA01 ,  4M104BB01 ,  4M104BB04 ,  4M104BB17 ,  4M104BB20 ,  4M104BB21 ,  4M104BB25 ,  4M104BB32 ,  4M104CC01 ,  4M104DD22 ,  4M104DD23 ,  4M104DD33 ,  4M104DD43 ,  4M104DD52 ,  4M104DD53 ,  4M104DD75 ,  4M104DD78 ,  4M104DD84 ,  4M104FF14 ,  4M104FF17 ,  4M104FF18 ,  4M104FF22 ,  4M104HH09 ,  4M104HH16 ,  4M104HH20 ,  5F033HH04 ,  5F033HH07 ,  5F033HH11 ,  5F033HH15 ,  5F033HH21 ,  5F033HH32 ,  5F033JJ07 ,  5F033JJ11 ,  5F033JJ19 ,  5F033JJ21 ,  5F033JJ32 ,  5F033KK01 ,  5F033KK11 ,  5F033KK21 ,  5F033KK25 ,  5F033KK27 ,  5F033KK32 ,  5F033MM01 ,  5F033MM02 ,  5F033MM07 ,  5F033NN06 ,  5F033NN07 ,  5F033PP06 ,  5F033PP14 ,  5F033PP27 ,  5F033PP28 ,  5F033QQ00 ,  5F033QQ08 ,  5F033QQ09 ,  5F033QQ12 ,  5F033QQ14 ,  5F033QQ15 ,  5F033QQ19 ,  5F033QQ25 ,  5F033QQ37 ,  5F033QQ48 ,  5F033QQ70 ,  5F033QQ73 ,  5F033QQ94 ,  5F033QQ96 ,  5F033QQ98 ,  5F033RR01 ,  5F033RR04 ,  5F033RR06 ,  5F033RR11 ,  5F033RR25 ,  5F033RR29 ,  5F033SS04 ,  5F033SS15 ,  5F033XX05 ,  5F033XX10 ,  5F033XX14 ,  5F033XX20

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

• 半導体装置の製造方法及びその装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2003-156500   Applicant：株式会社荏原製作所
• 半導体装置の製造方法および半導体装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2001-341339   Applicant：株式会社日立製作所, 日立東京エレクトロニクス株式会社