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J-GLOBAL ID：201003025110026721

有機電界効果トランジスタにおけるしきい値電圧の制御方法

Inventor： 菅原 正 ,  伊藤 卓郎 ,  松下 未知雄
Applicant, Patent owner： 国立大学法人 東京大学
Agent (1)： 稲葉 滋
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2009038657
Publication number (International publication number)：2010199099
Application date： Feb. 20, 2009
Publication date： Sep. 09, 2010
Summary：

【課題】有機電界効果トランジスタにおけるバイアスストレス効果を抑えると同時に、しきい値電圧を一定値に制御する。【解決手段】バイアスストレス効果が生じる第1の温度下で、第1の値のゲート電圧を有機電界効果トランジスタに印加してバイアスストレス効果を生じさせるステップと、前記第1の値のゲート電圧を印加した状態で、前記トランジスタをバイアスストレス効果が凍結される第2の温度以下の温度まで冷却することで、第2の温度以下の温度下において前記第1の値をしきい値電圧とする有機電界効果トランジスタを得るステップと、からなる有機電界効果トランジスタにおけるしきい値電圧の後天的制御方法。【選択図】図1

Claim (excerpt)：

バイアスストレス効果が生じる第1の温度下で、第1の値のゲート電圧を有機電界効果トランジスタに印加してバイアスストレス効果を生じさせるステップと、 前記第1の値のゲート電圧を印加した状態で、前記トランジスタをバイアスストレス効果が凍結される第2の温度以下の温度まで冷却することで、第2の温度以下の温度下において前記第1の値をしきい値電圧とする有機電界効果トランジスタを得るステップと、 からなる有機電界効果トランジスタにおけるしきい値電圧の後天的制御方法。

IPC (3)：

H01L 29/786 ,  H01L 21/336 ,  H01L 51/05

FI (3)：

H01L29/78 618B ,  H01L29/78 618A ,  H01L29/28 100A

F-Term (16)：

5F110AA08 ,  5F110AA14 ,  5F110BB05 ,  5F110CC03 ,  5F110DD05 ,  5F110EE08 ,  5F110FF02 ,  5F110FF22 ,  5F110GG05 ,  5F110GG28 ,  5F110GG29 ,  5F110GG42 ,  5F110GG58 ,  5F110HK02 ,  5F110HK32 ,  5F110HM04